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BY254

产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小91KB,共2页
制造商DAESAN
官网地址http://www.diodelink.com
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BY254概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BY251 THRU BY255
Features
· Low cost
· Diffused junction
· High current capability
· The plastic material carries U/L recognition 94V-0
CURRENT 3.0 Amperes
VOLTAGE 200 to 1300 Volts
DO-201AD
0.210(5.3)
0.188(4.8)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Mechanical Data
· Case : JEDEC DO-201AD molded plastic body
· Terminals : Plated axial lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.042 ounce, 1.1 grams
0.375(9.5)
0.285(7.2)
0.042(1.1)
0.037(0.9)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate by 20%)
Symbols
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
at T
A
=50℃
Recurrent peak Forward Current
Peak forward surge current 8.3ms half sine
wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage
at 3.0A
Maximum reverse current at rated DC
blocking voltage
Typical thermal resistance
Typical junction capacitance (Note 1)
Operating and storage temperature range
V
RRM
I
(AV)
I
FRM
I
FSM
V
F
I
R
JA
C
J
T
J
T
STG
BY251
200
BY252
400
BY253
600
3.0
20.0
100.0
1.1
10.0
30.0
30.0
-50 to +150
BY254
800
BY255
1000
Units
Volts
Amps
Amps
Amps
Volts
μA
℃/W
pF
Notes:
(1) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

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描述 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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