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HMC194MS8

产品描述0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.1 dB INSERTION LOSS
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小228KB,共6页
制造商Hittite Microwave(ADI)
官网地址http://www.hittite.com/
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HMC194MS8概述

0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.1 dB INSERTION LOSS

0 MHz - 3000 MHz 射频/微波单刀双掷开关, 1.1 dB 插入 损耗

HMC194MS8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hittite Microwave(ADI)
包装说明TSSOP8,.19
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
1dB压缩点28 dBm
其他特性CMOS COMPATIBLE, HIGH ISOLATION
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
最大输入功率 (CW)26.99 dBm
最大插入损耗1.1 dB
最小隔离度24 dB
JESD-609代码e0
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量8
准时0.024 µs
最大工作频率3000 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TSSOP8,.19
射频/微波设备类型SPDT
表面贴装YES
技术GAAS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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HMC194MS8
/
194MS8E
v05.0105
GaAs MMIC SPDT SWITCH
DC - 3 GHz
Typical Applications
The HMC194MS8 /HMC194MS8E is ideal for:
• Cellular/PCS Base Stations
• Portable Wireless
• MMDS & WirelessLAN
Features
Ultra Small Package: MSOP8
High Isolation: 50 dB
Positive Control: 0/+3V to 0/+7V
8
SWITCHES - SMT
Functional Diagram
General Description
The HMC194MS8 & HMC194MS8E are low-cost
SPDT switches in 8-lead MSOP packages for use in
applications which require high isolation between two
RF paths. The devices can control signals from DC to
3 GHz and have been optimized to provide extremely
high isolation with minimal insertion loss in medium
and low power applications. On chip circuitry allows
positive voltage control operation at very low DC cur-
rents with control inputs compatible with CMOS and
most TTL logic families. RF1 and RF2 are reflective
opens when “OFF”.
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C, Vctl = 0/+5 Vdc, 50 Ohm System
Parameter
Insertion Loss
RF1 / RF2
RF1 / RF2
Frequency
DC - 2.0 GHz
DC - 2.5 GHz
DC - 3.0 GHz
DC - 1.0 GHz
DC - 2.0 GHz
DC - 2.5 GHz
DC - 3.0 GHz
DC - 2.0 GHz
DC - 2.5 GHz
0.5 - 3.0 GHz
0/+5V Control
0.5 - 3.0 GHz
DC - 3.0 GHz
tRISE, tFALL (10/90% RF)
tON , tOFF (50% CTL to 10/90% RF)
10
24
ns
ns
24
49
48 / 50
40 / 42
31
24
Min.
Typ.
0.7
0.8
0.8
52 / 54
44 / 46
35
28
24
22
28
53
Max.
0.9
1.0
1.1
Units
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
Isolation
Return Loss
Input Power for 1 dB Compression
0/+5V Control
Input Third Order Intercept
(Two-tone Input Power = +7 dBm Each Tone)
Switching Characteristics
8 - 18
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com

HMC194MS8相似产品对比

HMC194MS8 194MS8E HMC194MS8_06
描述 0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.1 dB INSERTION LOSS 0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.1 dB INSERTION LOSS 0 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.1 dB INSERTION LOSS
最大插入损耗 1.1 dB 1.1 dB 1.1 dB
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
最大工作频率 3000 MHz 3000 MHz 3000 MHz
最小工作频率 - 0.0 MHz 0.0 MHz
最大输入功率 - 26.99 dBm 26.99 dBm
最小工作温度 - -40 Cel -40 Cel
最大工作温度 - 85 Cel 85 Cel
加工封装描述 - ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8 ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8
each_compli - Yes Yes
状态 - EOL EOL
微波射频类型 - SPDT SPDT
1_db_compression_poi - 28 dBm 28 dBm
阻抗特性 - 50 ohm 50 ohm
结构 - COMPONENT COMPONENT
最小隔离 - 24 dB 24 dB
jesd_609_code - e0 e0
_time_nom - 0.0240 µs 0.0240 µs
包装材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
ckage_equivalence_code - TSSOP8,.19 TSSOP8,.19
sub_category - RF/Microwave Switches RF/Microwave Switches
工艺 - GAAS GAAS
端子涂层 - TIN LEAD TIN LEAD
dditional_feature - CMOS COMPATIBLE, HIGH ISOLATION CMOS COMPATIBLE, HIGH ISOLATION
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