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1N60

产品描述GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小166KB,共2页
制造商DAESAN
官网地址http://www.diodelink.com
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1N60概述

GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7

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1N60, 1N60P
Features
· Metal silicon junction, majority carrier conduction
· High current capability, Low forward voltage drop
· Extremely low reverse current l
R
· Ultra speed switching characteristics
· Small temperature coefficient of forward characteristics
· Satisfactory Wave detection efficiency
· For use in RECORDER, TV, RADIO, TELEPHONE as detectors,
super high speed switching circuits, small current rectifier
GERMANIUM DIODES
DO-35(GLASS)
0.075(1.9)
MAX.
DIA.
1.083(27.5)
MIN.
0.154(3.9)
MAX.
Mechanical Data
· Case : DO-35 glass case
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Weight : Approx. 0.13 gram
0.020(0.52)
MAX.
DIA.
1.083(27.5)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Absolute Ratings (Limiting Values)
Symbols
V
RRM
l
F
l
FSM
T
STG
/T
J
T
L
Parameters
Zenerepetitive Peak Reverse Voltage
Forward Continuous Crrent
Peak Forward Surge Current(t=1S)
Storage junction Temperature Range
Maximum Lead Temperature for soldering 10S at 4mm from Case
T
A
=25℃
Value
1N60
40
30
150
-65 to+125
230
1N60P
45
50
500
Units
Volts
mA
mA
Electrical characteristics
Symbols
Parameters
Test Conditions
I
F
=1mA
1N60
1N60P
1N60
1N60P
1N60
1N60P
1N60
1N60P
Value
Min
Typ.
0.32
0.24
0.65
0.65
0.1
0.5
2.0
6.0
60
1
400
Max.
0.5
0.5
1.0
1.0
0.5
1.0
Units
V
F
l
R
C
J
Forward Voltage
I
F
=30mA
I
F
=200mA
V
R
=15V
V
R
=1V f=1MHz
V
R
=10V f=1MHz
Volts
μA
pF
Reverse Current
Junction Capacitance
Detection Effcienc(See diagram 4)
Revese Recovery time
Junction Amblent Thermal Resistance
η
trr
R
θJA
V
I
=3V f=30MHz C
L
=10pF R
L
=3.8kΩ
I
F
=I
R
=1mA Irr=1mA R
C
=100Ω
ns
℃/W

1N60相似产品对比

1N60 1N60P
描述 GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 0.05 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
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