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RN1711JE

产品描述Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1711JE概述

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1711JE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN1710JE,RN1711JE
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1710JE,RN1711JE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
Wide range of resistor values are available to use in various circuit
designs.
Complementary to RN2710JE~RN2711JE
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 (C2)
5.COLLECTOR1 (C1)
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
B
R1
JEDEC
JEITA
E
TOSHIBA
Weight: 0.003 g (typ.)
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note)
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
(top view)
5
Q1
4
Q2
1
2
3
Note: Total rating
1
2004-03-01

RN1711JE相似产品对比

RN1711JE RN1710JE
描述 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数 5 5
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5
元件数量 2 2
端子数量 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
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