Mini-NPN-Silizium-Fototransistor
Mini-Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 305
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 460 nm bis 1060 nm
• Hohe Linearität
• Mini-Bauform
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 305
SFH 305-2/3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0836
Q62702P3589
Features
• Especially suitable for applications from
460 nm to 1060 nm
• High linearity
• Mini-package
• Available in groups
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Fotostrom
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
0.25...1.25
0.25...0.8
2007-04-18
1
SFH 305
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…+
80
35
50
200
70
950
Einheit
Unit
°
C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
2007-04-18
2
SFH 305
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 20 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
450
…1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.11
0.5
×
0.5
±
16
7.5
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
1 (≤50)
nA
2007-04-18
3
SFH 305
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
2
,
V
CE
= 5 V
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
Einheit
Unit
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
0.25…
0.5
1.2
5.5
0.4…
0.8
1.9
6
0.63…
1.25 mA
3.0
mA
8
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
2007-04-18
4
SFH 305
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
%
90
Srel
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500
600
700
800
nm
900 1000 1100
lambda
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE 25°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
8
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
10
pF
7
nA
C
CE
6
I
CEO
5
4
3
0.1
1
2
1
0
1E-03
0.01
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
V
CE
V
1E+02
0
5
10
15
20
25
30
V
35
V
CE
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 20 V,
E
= 0
10000
nA
1000
I
CEO
100
10
1
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
T
A
°C
100
2007-04-18
5
DIY/开源硬件专区
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
