Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
SFH 4209
Wesentliche Merkmale
• Leistungsstarke GaAs-LED (40mW)
• Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
• Typische Peakwellenlänge 950nm
Anwendungen
• Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
• Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
• Batteriebetriebene Geräte (geringe
Stromaufnahme)
• Anwendungen mit hohen
Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten
Anforderungen
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR Freiraumübertragung
Typ
Type
SFH 4209
1)
Features
• High Power GaAs-LED (40mW)
• High Efficiency at low currents
• Typical peak wavelength 950nm
Applications
• High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
• Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
• Low power consumption (battery) equipment
• Suitable for professional and high-reliability
applications
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702 P5488
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity grouping
1)
I
e
(mW/sr)
24 (>6.3)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2003-12-09
1
SFH 4209
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
3
100
2.2
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
200
K/W
2003-12-09
2
SFH 4209
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
25
0.09
0.3
×
0.3
10
Grad
deg.
mm
2
mm
ns
A
L
×
B
L
×
W
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
t
r
,
t
f
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.3)
0.01 (≤ 10)
V
V
µA
Φ
e
40
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.44
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.2
mV/K
nm/K
2003-12-09
3
SFH 4209
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
I
e min.
I
e typ.
I
e typ.
Werte
Values
6,3
24
145
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
2003-12-09
4
SFH 4209
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
OHF00777
Radiant Intensity
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e
Ι
e (100 mA)
OHF00809
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
1)
120
OHF00359
Ι
erel
80
Ι
F
mA
100
80
60
10
0
R
thJA
= 375 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
10
-3
10
0
800 850
900
950 1000
nm 1100
10
1
10
2
λ
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
)
single pulse,
t
p
= 20
µs
10
4
mA
10
3
OHF00784
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
I
F
10
1
A
5
OHF00040
Ι
F
P
D
=
T
t
t
P
I
F
T
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
10
2
10
1
10
0
10
0
5
10
-1
10
-2
10
-3
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V 4.5
10
-1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
V
F
t
p
10˚
0˚
1.0
OHL00732
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
ϕ
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
1)
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Thermal resistance junction -
ambient mounted on PC-board
(FR4), pad size 16 mm
2
(each).
2003-12-09
5
传感器
京公网安备 11010802033920号
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