Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
SFH 4200
SFH 4205
SFH 4200
SFH 4205
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
•
•
Leistungsstarke GaAs-LED (35mW)
Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
Homogene Abstrahlung
Typische Peakwellenlänge 950nm
IR Reflow und TTW Löten geeignet
Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC
Standard J-STD-020A
Features
•
•
•
•
•
•
High Power GaAs-LED (35mW)
High Efficiency at low currents
Homogeneous Radiation Pattern
Typical peak wavelength 950nm
Suitable for IR reflow and TTW soldering
Moisture Sensitivity Level 2 according to
JEDEC Standard J-STD-020A
Anwendungen
• Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
• Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR Freiraumübertragung
• IR-Scheinwerfer für Kameras
Applications
• High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
• Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
• IR spotlight for cameras
Typ
Type
SFH 4200
SFH 4205
1)
Bestellnummer Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100mA,
t
p
= 20 ms)
Ordering Code Radiant intensity grouping
1)
I
e
(mW/sr)
Q62702-P978
Q62702-P5165
10.5 (>4)
10.5 (>4)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2003-12-09
1
SFH 4200, SFH 4205
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
3
100
2.2
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
200
K/W
2003-12-09
2
SFH 4200, SFH 4205
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
60
0.09
0.3
×
0.3
10
Grad
deg.
mm
2
mm
ns
A
L
×
B
L
×
W
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
t
r
,
t
f
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 4.3)
0.01 (≤ 10)
V
V
µA
Φ
e
35
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.44
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.2
mV/K
nm/K
2003-12-09
3
FPGA/CPLD
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