NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 3401
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 460 nm bis 1080 nm
• Hohe Linearität
• SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für
Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
(JEDEC level 4)
• Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Umgebungslicht-Detektor
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 3401
SFH 3401-2/3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5014
Q62702-P5200
Features
• Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
• High linearity
• SMT package with base connection, suitable
for vapor phase and IR reflow soldering
(JEDEC level 4)
• Available only on tape and reel
Applications
•
•
•
•
Ambient light detector
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Gehäuse
Package
Klares Epoxy-Gieβharz,
Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß
Transparent epoxy resin,
collector marking: broad lead
2001-12-11
1
SFH 3401
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitterspannung,
t
< 120 s
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
20
70
50
100
7
120
450
Einheit
Unit
°C
V
V
mA
mA
V
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
2001-12-11
2
SFH 3401
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Kapazität,
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Kapazität,
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode
Photocurrent of collektor-base photodiode
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
460
…
1080
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.55
1
×
1
±
60
15
45
19
3 (≤ 200)
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
pF
pF
pF
nA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
I
PCB
I
PCB
0.28
4.8
µA
µA
2001-12-11
3
SFH 3401
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht A/
standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
-1
-2
Wert
Value
-3
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
63
…
125
1.65
16
100
…
200
2.6
24
160
…
320
4.2
34
µA
mA
µs
V
CEsat
170
170
170
mV
I
PCE
/
I
PCB
340
530
860
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-12-11
4
SFH 3401
Rel. Spectral Sensitivity,
S
rel
=
f
(λ)
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
10
-4 -3
10
10
-2
mW/cm
2
E
e
10
0
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
OHF02332
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Ι
pce
10
1
mA
1
2
3
OHF00326
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
20
pF
OHF02344
10
0
15
10
-1
10
10
-2
5
10
-3
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
°C
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Ι
CEO
10
3
nA
OHF02342
Collector-Base Capacitance
C
CB
=
f
(
V
CB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CB
50
pF
45
40
OHF00332
Ι
PCE
1.6
OHF01524
10
2
35
30
10
1
25
20
15
10
0
10
5
0
25
50
75 C 100
T
A
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CB
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
)
SFH 3401-3
Ι
pce
3.0
mA
2.5
1.0 mW/cm
2
OHF00327
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
CEO
10
2
nA
OHF02341
Emitter-Base Capacitance
C
EB
=
f
(
V
EB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
EB
20
pF
18
16
OHF00333
10
1
2.0
14
12
1.5
0.5 mW/cm
2
1.0
0.25 mW/cm
2
0.5
0.1 mW/cm
2
0
10
0
10
8
6
10
-1
4
2
10
0
10
20
30
40
50
60 V 70
V
ce
-2
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
EB
2001-12-11
5
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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