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SEMIX302GB12T4S

产品描述Trench IGBT Modules
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共5页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SEMIX302GB12T4S概述

Trench IGBT Modules

SEMIX302GB12T4S规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数15
制造商包装代码CASE SEMIX2S
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)460 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X15
元件数量2
端子数量15
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)580 ns
标称接通时间 (ton)320 ns
Base Number Matches1

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SEMiX 302GB12T4s
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMiX
®
2s
Trench IGBT Modules
SEMiX 302GB12T4s
SEMiX 302GAL12T4s
SEMiX 302GAR12T4s
Target Data
Inverse Diode
Module
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
Remarks
GB
GAL
GAR
1
26-07-2007 SCH
© by SEMIKRON

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