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SEMIX703GB126HDS_07

产品描述650 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共5页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SEMIX703GB126HDS_07概述

650 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

650 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SEMIX703GB126HDS_07规格参数

参数名称属性值
端子数量18
额定关断时间815 ns
最大集电极电流650 A
最大集电极发射极电压1200 V
加工封装描述CASE SEMIX 3S, 18 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 AND THERMISTOR
壳体连接隔离
元件数量2
晶体管应用POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型N沟道
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间370 ns

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SEMiX 703GB126HDs
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMiX
®
3s
Trench IGBT Modules
SEMiX 703GAL126HDs
SEMiX 703GAR126HDs
SEMiX 703GB126HDs
Preliminary Data
Module
Inverse Diode
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
Remarks
GB
GAL
GAR
1
19-04-2007 SCH
© by SEMIKRON
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