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SN74ACT2226DW: 产品描述64 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85; 产品类别存储存储; 文件大小805KB，共21页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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SN74ACT2226DW概述

64 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85

SN74ACT2226DW规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP24,.4
针数	24
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
最长访问时间	20 ns
最大时钟频率 (fCLK)	20 MHz
周期时间	45.45 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e4
长度	15.4 mm
内存密度	64 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	1
湿度敏感等级	1
功能数量	2
端子数量	24
字数	64 words
字数代码	64
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64X1
输出特性	TOTEM POLE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP24,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.65 mm
最大待机电流	0.0004 A
最大压摆率	0.0004 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.5 mm
Base Number Matches	1

SN74ACT2226DW相似产品对比

	SN74ACT2226DW	SN74ACT2228DWR	SN74ACT2228DW	SN74ACT2226DWR
描述	64 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85	256 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85	256 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85	64 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP, SOP24,.4	SOP, SOP24,.4	SOP, SOP24,.4	SOP, SOP24,.4
针数	24	24	24	24
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	1 week	1 week	1 week	1 week
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
最大时钟频率 (fCLK)	20 MHz	22 MHz	22 MHz	20 MHz
周期时间	45.45 ns	45.45 ns	45.45 ns	45.45 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
长度	15.4 mm	15.4 mm	15.4 mm	15.4 mm
内存密度	64 bi	256 bit	256 bit	64 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	1	1	1	1
湿度敏感等级	1	1	1	1
功能数量	2	2	2	2
端子数量	24	24	24	24
字数	64 words	256 words	256 words	64 words
字数代码	64	256	256	64
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64X1	256X1	256X1	64X1
输出特性	TOTEM POLE	TOTEM POLE	TOTEM POLE	TOTEM POLE
可输出	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP
封装等效代码	SOP24,.4	SOP24,.4	SOP24,.4	SOP24,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm
最大待机电流	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A
最大压摆率	0.0004 mA	0.0004 mA	0.0004 mA	0.0004 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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