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1N4936GP/65

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小322KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N4936GP/65概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

1N4936GP/65规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N4933GP thru 1N4937GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
I
R
V
F
T
j
max.
1.0 A
50 V to 600 V
30 A
200 ns
5.0 µA
1.2 V
175 °C
®
ted*
aten
P
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602,
brazed-lead assembly
by Patent No. 3,930,306
DO-204AL (DO-41)
Features
• Superectifier structure for High Reliability
condition
• Cavity-free glass-passivated junction
• Fast switching for high efficiency
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
DO-204AL, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity:
Color band denotes cathode end
Typical Applications
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for
consumer, automotive and Telecommunication
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 75 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage
temperature range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N4933GP
50
35
50
1N4934GP
100
70
100
1N4935GP
200
145
200
1.0
30
- 65 to + 175
1N4936GP
400
280
400
1N4937GP
600
420
600
Unit
V
V
V
A
A
°C
Document Number 88509
15-Sep-05
www.vishay.com
1
vc2005 sdi 智能设备编译出现这样的问题:部署和/或注册失败,错误为: 0x8973190e。 写入文件“%CSIDL_PROGRAM_FILES%\1
部署和/或注册失败,错误为: 0x8973190e。 写入文件“%CSIDL_PROGRAM_FILES%\123\123.exe”时出错。错误 0x80070020: 另一个程序正在使用此文件,进程无法访问。 如何解决? ...
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