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STB20NM60

产品描述20 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小409KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STB20NM60概述

20 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

20 A, 600 V, 0.29 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

STB20NM60规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)650 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.29 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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