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Datasheet> 器件分类 > 信号电路> 5962D9569201VEC
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5962D9569201VEC

产品描述8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
产品类别信号电路   
文件大小164KB，共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962D9569201VEC概述

8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

5962D9569201VEC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明DIP-16
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
模拟集成电路 - 其他类型SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
负电源电压最大值（Vsup）-22 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
信道数量8
功能数量1
端子数量16
标称断态隔离度50 dB
最大通态电阻 (Ron)400 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度5.08 mm
最大信号电流0.008 A
最大供电电流 (Isup)2.4 mA
最大供电电压 (Vsup)22 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
最长断开时间1000 ns
最长接通时间1000 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量10k Rad(Si) V
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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HS-0508RH, HS-0509RH
Data Sheet
August 1999
File Number
3977.2
Radiation Hardened Single 8/Differential
4-Channel CMOS Analog Multiplexers
These radiation hardened monolithic CMOS multiplexers
each include an array of eight analog switches, a digital
decode circuit for channel selection, a voltage reference for
logic thresholds, and an ENABLE input for device selection
when several multiplexers are present.
The Dielectric Isolation (DI) process used in fabrication of
these devices eliminates the problem of latch-up. Also, DI
offers much lower substrate leakage and parasitic
capacitance than conventional junction-isolated CMOS.
Switches are guaranteed to break-before-make, so that two
channels are never shorted together. The switching
threshold for each digital input is established by an internal
+5V reference, providing a guaranteed minimum 2.4V for
logic “1” and maximum 0.8 for logic “0”. This allows direct
interface without pull-up resistors to signals from most logic
families: CMOS, TTL, DTL and some PMOS. For protection
against transient overvoltage, the digital inputs include a
series 200Ω resistor and a diode clamp to each supply. The
HS-0508RH is an eight channel single-ended multiplexer,
and the HS-0509RH is a four channel differential version. If
input overvoltage protection is needed, the HS-0548RH and
HS-0549RH multiplexers are recommended.
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The
SMD numbers listed here must be used when ordering.
Detailed Electrical Specifications for these devices are
contained in SMD 5962-95692. A “hot-link” is provided
on our homepage for downloading.
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
Features
• Electrically Screened to SMD # 5962-95692
• QML Qualified per MIL-PRF-38535 Requirements
• Gamma Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 x 10
4
RAD(Si)
• No Latch-Up
• No Channel Interaction During Overvoltage
• Low On Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <200Ω (Typ)
• 44V Maximum Power Supply
• Break-Before-Make Switch
• Analog Signal Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±15V
• Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . <300ns (Typ)
Applications
• Data Acquisition Systems
• Control Systems
• Telemetry
Ordering Information
ORDERING NUMBER
5962D9569201VEA
5962D9569201VEC
5962D9569202VEA
5962D9569202VEC
INTERNAL
MKT. NUMBER
HS1-0508RH-Q
HS1B-0508RH-Q
HS1-0509RH-Q
HS1B-0509RH-Q
TEMP. RANGE
(
o
C)
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
Pinouts
HS-0508RH GDIP1-T16 (CERDIP)
OR CDIP2-T16 (SBDIP)
TOP VIEW
HS-0509RH GDIP1-T16 (CERDIP)
OR CDIP2-T16 (SBDIP)
TOP VIEW
A0 1
ENABLE 2
-VSUPPLY 3
IN 1 4
IN 2 5
IN 3 6
IN 4 7
OUT 8
16 A1
15 A2
14 GND
13 +VSUPPLY
12 IN 5
11 IN 6
10 IN 7
9 IN 8
A0 1
ENABLE 2
-VSUPPLY 3
IN 1A 4
IN 2A 5
IN 3A 6
IN 4A 7
OUTA 8
16 A1
15 GND
14 +VSUPPLY
13 IN 1B
12 IN 2B
11 IN 3B
10 IN 4B
9 OUT B
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
©
Intersil Corporation 1999

5962D9569201VEC相似产品对比

5962D9569201VEC HS1-0508RH-Q HS1-0509RH-Q HS1B-0509RH-Q HS1B-0508RH-Q
描述 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 HS1-0508RH-Q HS1-0509RH-Q 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 8-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP-16 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP,
针数 16 16 16 16 16
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant unknown unknown
模拟集成电路 - 其他类型 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-CDIP-T16 R-CDIP-T16
负电源电压最大值（Vsup） -22 V -22 V -22 V -22 V -22 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V
信道数量 8 8 4 4 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16 16
标称断态隔离度 50 dB 50 dB 50 dB 50 dB 50 dB
最大通态电阻 (Ron) 400 Ω 400 Ω 400 Ω 400 Ω 400 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 22 V 22 V 22 V 22 V 22 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
最长断开时间 1000 ns 1000 ns 1000 ns 1000 ns 1000 ns
最长接通时间 1000 ns 1000 ns 1000 ns 1000 ns 1000 ns
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 - -
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 - -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
电源 +-15 V +-15 V +-15 V - -
最大信号电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A - -
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -

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