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FME-220B

产品描述20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小290KB,共7页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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FME-220B概述

20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

FME-220B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SANKEN
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Schottky Barrier Diode
FME-220B
■General
Description
FME-220B is a High Voltage (150V) Schottky Barrier Diode,
and has achieved low leakage current and low VF by selecting
the best barrier metal.
April. 2007
■Package---
TO220F
■Applications
●DC-DC
converters
AC adapter
High frequency rectification circuit
■Key
Specifications
■Features
High Voltage 150Vguarantee
Steady operation is possible even at the high
Symbol
V
RM
V
F
I
F(AV)
Unit
V
V
A
Rating
150
0.90
20
I
F
=10A
Conditions
temperature by the low leakage current.
Super-high speed & low noise switching.
Low forward voltage drop.
Typical Characteristics
FME-220B IF-VF Charctaristics
100
1.0E-01
150℃
1.0E-02
10
125℃
FME-220B VR-IR Chacteristics
1.0E-03
1
IF (A)
IR (A)
100℃
1.0E-04
150℃
0.1
125℃
100℃
1.0E-05
25℃
0.01
25℃
1.0E-06
0.001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
VF (V)
1.1 1.2
1.0E-07
0
50
VR (V)
100
150
Sanken Electric Co., Ltd
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
D01-013EA-070323
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