
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | SC-88 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.07 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 68 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.3 V |
| UMB9NTN | IMB9AT110 | |
|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428 | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | SC-88 | SC-74 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.07 A | 0.07 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 68 | 68 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e2 | e1 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.3 V | 0.3 V |
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