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UMB9NTN

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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UMB9NTN概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428

UMB9NTN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.07 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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EMB9 / UMB9N / IMB9A
Transistors
General purpose
(dual digital transistors)
EMB9 / UMB9N / IMB9A
Features
1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package.
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3
automatic mounting machines.
3) Transistor elements are independent, eliminating
interference.
4) Mounting cost and area can be cut in half.
External dimensions
(Unit : mm)
EMB9
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
Each lead has same dimensions
ROHM : EMT6
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)
Abbreviated symbol : B9
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(4)
(3)
UMB9N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
(6)
(5)
1.25
The following characteristics apply to both DTr
1
and
DTr
2
.
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
Each lead has same dimensions
Equivalent circuit
EMB9 / UMB9N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTr
1
R
1
=10kΩ
R
2
=47kΩ
DTr
2
R
2
R
1
(4) (5)
DTr
2
R
2
R
1
(3) (2)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
IMB9A
(4) (5) (6)
R
1
R
2
DTr
1
R
1
=10kΩ
R
2
=47kΩ
(1)
Abbreviated symbol : B9
IMB9A
(6)
0.3
(4)
(5)
(6)
1.6
2.8
0.15
0.3to0.6
0to0.1
Each lead has same dimensions
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
I
C (Max.)
Pd
Tj
Tstg
Limits
−50
−40
6
Output current
EMB9, UMB9N
Power
dissipation IMB9A
Junction temperature
Storage temperature
−70
−100
150 (TOTAL)
300 (TOTAL)
150
−55
to
+150
mA
1
Unit
V
V
ROHM : SMT6
EIAJ : SC-74
Abbreviated symbol : B9
mW
˚C
˚C
2
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
(3)
(2)
(1)
(1)
(2)
1/2

UMB9NTN相似产品对比

UMB9NTN IMB9AT110
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA SOT-428 Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 SC-88 SC-74
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC) 0.07 A 0.07 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 68 68
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e2 e1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V
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