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MJD32RL

产品描述Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJD32RL概述

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

MJD32RL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz

MJD32RL相似产品对比

MJD32RL MJD31T4 MJD32CRL MJD31C MJD32T4 CMF1206417KOHMS0.5%50PPMBULK MJD32C1 MJD31C1 MJD32C
描述 Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 417000ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 1206, Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 2 2 2 3 3 2
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 125 °C 140 °C 140 °C 150 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMT IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 - IN-LINE, R-PSIP-T3 PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3 - 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369C CASE 369C CASE 369C CASE 369C CASE 369C - CASE 369D-01 CASE 369D-01 CASE 369C
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A - 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 100 V 100 V 40 V - 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10 10 - 10 10 10
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 - R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 - 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 - 1 1 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 235 240 - 240 240 240
极性/信道类型 PNP NPN PNP NPN PNP - PNP NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W - 15 W 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES - NO NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 NOT SPECIFIED 30 - 30 30 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz - 3 MHz 3 MHz 3 MHz

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