EEPROM CRYPTO Memory 4Kbit, 4zones
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | HVSON, SOLCC8,.12,20 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 21 weeks |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1011CCCC |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
长度 | 3 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.12,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.6 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 2 mm |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
AT88SC0404CA-Y6H-T | CPF2196R00FLRE6 | AT88SC0404CA-PU | AT88SC0404CA-MP | AT88SC0404CA-MPTG | |
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描述 | EEPROM CRYPTO Memory 4Kbit, 4zones | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 196ohm, 350V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | IC EEPROM 4K I2C 4MHZ 8DIP | IC EEPROM 4K I2C 4MHZ M2 P | IC EEPROM 4K I2C 4MHZ M2 P |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | HVSON, SOLCC8,.12,20 | AXIAL LEADED | DIP, DIP8,.3 | , | , |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
端子数量 | 8 | 2 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 230 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -65 °C | -40 °C | - | - |
封装形状 | RECTANGULAR | TUBULAR PACKAGE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | Axial | IN-LINE | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
表面贴装 | YES | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | METAL FILM | CMOS | CMOS | CMOS |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | - | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
Factory Lead Time | 21 weeks | - | 21 weeks | 11 weeks | 11 weeks |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 | - | R-PDIP-T8 | R-XXMA-X8 | R-XXMA-X8 |
内存密度 | 4096 bit | - | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | - | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 8 | - | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
字数 | 512 words | - | 512 words | 512 words | 512 words |
字数代码 | 512 | - | 512 | 512 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | 512X8 | - | 512X8 | 512X8 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | - | THROUGH-HOLE | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | - | 1 | - | 1 |
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