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IPP040N06N3GXKSA1

产品描述MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小996KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPP040N06N3GXKSA1在线购买

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IPP040N06N3GXKSA1概述

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

IPP040N06N3GXKSA1规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current90 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.3 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge98 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
188 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
15.65 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
4.4 mm
Forward Transconductance - Min61 S
Fall Time5 ns
Rise Time70 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500
Typical Turn-Off Delay Time40 ns
Typical Turn-On Delay Time30 ns
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

IPP040N06N3GXKSA1相似产品对比

IPP040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1
描述 MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3 TO-262-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V 60 V
Id - Continuous Drain Current 90 A 90 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3.3 mOhms 3.7 mOhms
Configuration Single Single
系列
Packaging
Tube Tube
高度
Height
15.65 mm 9.45 mm
长度
Length
10 mm 10.2 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
宽度
Width
4.4 mm 4.5 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500 500
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz 0.073511 oz
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