MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | International Rectifier IRL6342PBF N-channel MOSFET Transistor, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9.9 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 9.9 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0146 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 79 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRL6342PBF | IRL6342TRPBF | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC | MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9.9 A | 9.9 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 9.9 A | 9.9 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0146 Ω | 0.0146 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 79 A | 79 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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