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OP505B

产品描述Phototransistors Narrow Rcvng Angle 935nm
产品类别光电子/LED   
文件大小2MB,共10页
制造商TT Electronics
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OP505B概述

Phototransistors Narrow Rcvng Angle 935nm

OP505B规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
TT Electronics
产品种类
Product Category
Phototransistors
RoHSDetails
产品
Product
Phototransistors
封装 / 箱体
Package / Case
T-1-2
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Peak Wavelength935 nm
Maximum On-State Collector Current5.95 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max30 V
Dark Current100 nA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 mW
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
高度
Height
5.08 mm
Lens Color/StyleBlue
系列
Packaging
Bulk
类型
Type
NPN Silicon Phototransistor
Wavelength935 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.4 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500

OP505B相似产品对比

OP505B OP505A
描述 Phototransistors Narrow Rcvng Angle 935nm Phototransistors PHOTOSENSOR
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
TT Electronics TT Electronics
产品种类
Product Category
Phototransistors Phototransistors
RoHS Details Details
产品
Product
Phototransistors Phototransistors
封装 / 箱体
Package / Case
T-1-2 T-1-2
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
Peak Wavelength 935 nm 935 nm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V 30 V
Dark Current 100 nA 100 nA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 mW 100 mW
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 100 C + 100 C
高度
Height
5.08 mm 5.08 mm
Lens Color/Style Blue Blue
系列
Packaging
Bulk Bulk
类型
Type
NPN Silicon Phototransistor NPN Silicon Phototransistor
Wavelength 935 nm 935 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 30 V 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.4 V 0.4 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500 500

 
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