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HN2S01F_07

产品描述0.1 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小314KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN2S01F_07概述

0.1 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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HN2S01F
TOSHIBA Diode
Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
HN2S01F
Low Voltage High Speed Switching Application
Unit in mm
HN2S01F is composed of 3 independent diodes.
Low reverse current: V
F
= 0.23V (typ.) @I
F
= 5mA
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Maximum (peak) reverse Voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
stg
T
opr
Rating
15
10
200
*
100
*
1
*
300
125
−55∼125
−40∼100
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
JEDEC
EIAJ
SC-74
1-3K1C
TOSHIBA
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
Weight: 0.015g
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*
: This is absolute maximum rating of single diode (Q1 or Q2 or Q3).
In the case of using 2 ro 3 diodes, the absolute maximum ratings
per diodes is 75
%
of the single diode one.
Electrical Characteristics
(Q1, Q2, Q3 Common, Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
V
F (1)
Forward voltage
V
F (2)
V
F (3)
Reverse current
Total capacitance
I
R
C
T
Test
Circuit
Test Condition
I
F
= 1mA
I
F
= 5mA
I
F
= 100mA
V
R
= 10V
V
R
= 0, f = 1MH
z
Min
Typ.
0.18
0.23
0.35
20
Max
0.30
0.50
20
40
V
Unit
μA
pF
1
2007-11-01

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