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HN1D04FU

产品描述0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小185KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1D04FU概述

0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

HN1D04FU规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA HIGH SPEED SWITCHING
配置2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.0016 µs
反向测试电压80 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HN1D04FU
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
HN1D04FU
Ultra High Speed Switching Application
Low forward voltage
Small total capacitance
: V
F(3)
= 0.90V (typ.)
: C
T
= 0.9pF (typ.)
Unit in mm
Fast reverse recovery time : t
rr
= 1.6ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Maximum (peak) reverse voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
stg
Rating
85
80
300*
100*
2*
200**
150
−55~150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
US6
1.ANODE1
2.CATHODE2
3.ANODE4
CATHODE3
4.ANODE3
5.CATHODE4
6.CATHODE1
ANODE2
JEDEC
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
JEITA
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
TOSHIBA
1-2T1F
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating Weight: 6.8mg (typ.)
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Where Q1 and Q2 or Q3 and Q4 are used independently or simultaneously, the Absolute Maximum Ratings per
diode are 50% of those of the single diode.
** : Total rating
Electrical Characteristics
(Q1, Q2, Q3, Q4 Common; Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
V
F (1)
Forward voltage
V
F (2)
V
F (3)
Reverse current
Total capacitance
Reverse recovery time
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
Test
Circuit
Test Condition
I
F
= 1mA
I
F
= 10mA
I
F
= 100mA
V
R
= 30V
V
R
= 80V
V
R
= 0, f = 1MHz
I
F
= 10mA (fig.1)
Min
Typ.
0.60
0.75
0.90
0.9
1.6
Max
1.20
0.1
0.5
μA
pF
ns
V
Unit
1
2007-11-01
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