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5KP100E3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小526KB,共10页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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5KP100E3概述

Trans Voltage Suppressor Diode

5KP100E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压136 V
最小击穿电压111 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
参考标准IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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