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GT50J325_06

产品描述50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小194KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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GT50J325_06概述

50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

50 A, 600 V, N沟道 IGBT

GT50J325_06规格参数

参数名称属性值
端子数量3
额定关断时间430 ns
最大集电极电流50 A
最大集电极发射极电压600 V
加工封装描述2-21F2C, 3 PIN
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间240 ns

GT50J325_06相似产品对比

GT50J325_06 GT50J325
描述 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 3 3
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
LM014LC1S02
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