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30FWJ2CZ47M_06

产品描述15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小298KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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30FWJ2CZ47M_06概述

15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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30FWJ2CZ47M
TOSHIBA SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER STACK
SCHOTTKY BARRIER TYPE
30FWJ2CZ47M
LOW FORWARD VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATION
CONVERTER & CHOPPER APPLICATION
Peak Forward Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectified Current
: V
FM
0.47 V
: V
RRM
= 30 V
: I
O
= 30 A
Unit: mm
Low Switching Losses and Output Noise
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectified Current
Peak One Cycle Surge Forward
Current (Sine Wave)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Screw Torque
SYMBOL
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
RATING
30
30
300 (50Hz)
330 (60Hz)
−40~125
−40~150
0.6
UNIT
V
A
A
°C
°C
N·m
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
12-10C1A
Weight: 2.0 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Peak Forward Voltage
(Note 1)
SYMBOL
V
FM
I
RRM
C
j
R
th (j-c)
I
FM
= 15A
V
RRM
= 30V
V
R
= 10V, f = 1.0MHz
DC Total, Junction to Case
TEST CONDITION
MIN
820
TYP.
0.47
15
2.5
MAX
V
mA
pF
°C / W
Repetitive Peak Reverse Current
(Note 1)
Junction Capacitance
Thermal Resistance
(Note 1)
Note 1: A value applied to one cell.
POLARITY
1
2006-11-10

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