Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 35 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 80 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
| VCEsat-Max | 2 V |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SC5197 | 2SC5197_06 | |
|---|---|---|
| 描述 | Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications | Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
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