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BRX45

产品描述0.8 A, 60 V, SCR, TO-92
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小141KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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BRX45概述

0.8 A, 60 V, SCR, TO-92

BRX45规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间8 µs
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压0.8 V
最大维持电流5 mA
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
最大漏电流0.1 mA
通态非重复峰值电流8 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流800 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流0.8 A
断态重复峰值电压60 V
重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

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BRX44
BRX45
BRX46
BRX47
BRX48
BRX49
Central
TM
Semiconductor Corp.
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
0.8 AMP, 30 THRU 400 VOLTS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BRX44 series
types are PNPN Silicon Controlled Rectifiers
manufactured in a TO-92 case, designed for control
systems and sensing circuit applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
TO-92 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Repetitive Off-State Voltage
RMS On-State Current (TC=40°C)
Average On-State Current (TC=40°C)
Nonrept. On-State Current (TC =60°C)
Fusing Current (t=10ms)
Peak Reverse Gate Voltage (IGR=10µA)
Peak Gate Current (t=10µs)
Peak Gate Dissipation (t=10µs)
Gate Dissipation (t=20ms)
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
VDRM, VRRM
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I
2
t
VGRM
IGM
PGM
PG (AV)
TJ, Tstg
Θ
JC
Θ
JA
BRX44 BRX45 BRX46 BRX47 BRX48 BRX49 UNITS
30
60
100
0.8
0.5
10
0.24
8.0
1.0
2.0
0.1
-40 to +125
100
200
200
300
400
V
A
A
A
A
2
s
V
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IDRM,
IDRM,
VTM
IGT
VGT
IH
IL
dv/dt
di/dt
IRRM
IRRM
Rated VDRM,
Rated VDRM,
VRRM, RGK=1.0KΩ, TC=25°C
VRRM, RGK=1.0KΩ, TC=125°C
MIN
MAX
1.0
0.1
1.7
200
0.8
5.0
6.0
UNITS
µA
mA
V
µA
V
mA
mA
V/µs
A/µs
IT=1.0A
VD=6.0V, RL=10Ω
VD=6.0V, RL=10Ω
RGK=1.0KΩ
RGK=1.0KΩ
VD=0.67V x VDRM, RGK=1.0KΩ, TC=125°C
IG= 10mA, diG /dt=0.1A/µs, TC=125°C
100
30
R0 (27-April 2004)
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