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2SB1411

产品描述Silicon PNP Triple Diffused Type
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SB1411概述

Silicon PNP Triple Diffused Type

2SB1411规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-67
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值20 W
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.5 V
Base Number Matches1

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2SB1411
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1411
Switching Applications
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
Unit: mm
High DC current gain: h
FE
= 1500 (min) (V
CE
=
−3
V, I
C
=
−1
A)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
=
−1.5
V (max) (I
C
=
−1
A)
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25°C
Tc = 25°C
DC
Peak
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−100
−100
−7
−2
−3
−0.5
2.0
20
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
SC-67
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Collector
Base
7 kΩ
150
Emitter
1
2006-11-21

2SB1411相似产品对比

2SB1411 2SB1411_06
描述 Silicon PNP Triple Diffused Type Silicon PNP Triple Diffused Type

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