5962F9553602VHA放大器基础信息:
5962F9553602VHA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, FP-10
5962F9553602VHA放大器核心信息:
5962F9553602VHA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:10 µA他的最大平均偏置电流为12 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9553602VHA的标称压摆率有2400 V/us。厂商给出的5962F9553602VHA的最大压摆率为9.5 mA.其最小电压增益为2200。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9553602VHA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200000 kHz。5962F9553602VHA的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962F9553602VHA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。5962F9553602VHA的输入失调电压为7000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9553602VHA的宽度为:6.32 mm。
5962F9553602VHA的相关尺寸:
5962F9553602VHA拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:10
5962F9553602VHA放大器其他信息:
5962F9553602VHA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962F9553602VHA的频率补偿情况是:YES (AVCL>=2)。其温度等级为:MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:R-GDFP-F10。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962F9553602VHA的封装代码是:DFP。5962F9553602VHA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9553602VHA封装引脚的形式有:FLATPACK。其端子形式有:FLAT。座面最大高度为2.032 mm。
5962F9553602VHA放大器基础信息:
5962F9553602VHA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, FP-10
5962F9553602VHA放大器核心信息:
5962F9553602VHA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:10 µA他的最大平均偏置电流为12 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9553602VHA的标称压摆率有2400 V/us。厂商给出的5962F9553602VHA的最大压摆率为9.5 mA.其最小电压增益为2200。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9553602VHA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200000 kHz。5962F9553602VHA的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962F9553602VHA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。5962F9553602VHA的输入失调电压为7000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9553602VHA的宽度为:6.32 mm。
5962F9553602VHA的相关尺寸:
5962F9553602VHA拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:10
5962F9553602VHA放大器其他信息:
5962F9553602VHA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962F9553602VHA的频率补偿情况是:YES (AVCL>=2)。其温度等级为:MILITARY。
其不属于微功率放大器。其对应的的JESD-30代码为:R-GDFP-F10。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962F9553602VHA的封装代码是:DFP。5962F9553602VHA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9553602VHA封装引脚的形式有:FLATPACK。其端子形式有:FLAT。座面最大高度为2.032 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | CERAMIC, FP-10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 12 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 10 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES (AVCL>=2) |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL10,.24 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-5/+-15 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.032 mm |
| 标称压摆率 | 2400 V/us |
| 最大压摆率 | 9.5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽 | 200000 kHz |
| 最小电压增益 | 2200 |
| 宽带 | YES |
| 宽度 | 6.32 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962F9553602VHA | 5962F9553602VXA | |
|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 200 MHz BAND WIDTH, CDFP10, CERAMIC, FP-10, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 200 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | DFP | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, FP-10 | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数 | 10 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 12 µA | 12 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 10 µA | 10 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
| 频率补偿 | YES (AVCL>=2) | YES (AVCL>=2) |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F10 | R-GDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-偏置 | NO | NO |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 10 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP | SOP |
| 封装等效代码 | FL10,.24 | SOP10,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | SMALL OUTLINE |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | +-5/+-15 V | +-5/+-15 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.032 mm | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 2400 V/us | 2400 V/us |
| 最大压摆率 | 9.5 mA | 9.5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽 | 200000 kHz | 200000 kHz |
| 最小电压增益 | 2200 | 2200 |
| 宽带 | YES | YES |
| 宽度 | 6.32 mm | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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