GaAs PIN photodiode with preamp
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Hamamatsu |
Reach Compliance Code | unknow |
主体高度 | 10.7 mm |
主体长度或直径 | 5.94 mm |
内置特性 | AMPLIFIER |
通信标准 | GBE |
数据速率 | 10000 Mbps |
发射极/检测器类型 | PIN PHOTODIODE |
光纤设备类型 | RECEIVER |
光纤类型 | 50/125, MMF |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -20 °C |
标称工作波长 | 850 nm |
接收类型 | DIGITAL |
响应度 | 0.55 A/W |
最小回损 | 14 dB |
灵敏度 | -14 dBm |
标称供电电压 | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
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