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1C5616-R

产品描述1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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1C5616-R概述

1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DIE-1

1C5616-R规格参数

参数名称属性值
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XUUC-N1
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5061, REV. B.1
1C5614
1C5616
1C5618
1C5620
1C5622
GENERAL PURPOSE
SILICON RECTIFIER DIE
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Inverse Voltage
1C5614
1C5616
1C5618
1C5620
1C5622
Max. Average Forward Current
Die Size
Max. Junction Temperature
Max. Storage Temperature
Symbol
V
RWM
Condition
-
Max.
200
400
600
800
1000
1.0
40
-55 to +175
-55 to +175
Units
V
I
F(AV)
-
T
J
T
stg
@ 55C
-
-
-
A
mil
C
C
Electrical Characteristics:
Characteristics
Max. Forward Voltage Drop
Symbol
V
F1
Condition
@ 3.0A, Pulse, T
J
= 25
C
Duty cycle
2%, pulse width
300s
@V
R
= 200V, Pulse,
T
J
= 25
C
@V
R
= 200V, Pulse,
T
J
= 100
C
I
f
= 500mA, I
r
= 1A, I
rm
=
250mA
Max.
1.3
Units
V
Max. Reverse Current
I
R1
I
R2
0.5
25
2000
A
A
ns
Reverse Recovery Time
t
rr
Mechanical Dimensions: In Inches / mm for 1C5614
ANODE
0.024
0.003
(0.610
0.076)
0.040
0.003
(1.016
0.076)
Top side metalization - Aluminum - 25 kÅ
minimum.
Bottom side metalization - Titanium 1.2 kÅ,
Nickel 1.8 kÅ, Silver - 30 kÅ minimum
Bottom side is cathode, top side is anode.
See part ordering information for different options
Anode
0.009 ± 0.001 (0.229 ± 0.025)
Cathode
©2013 Sensitron Semiconductor
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
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