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BV12

产品描述0.35 A, 11000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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BV12概述

0.35 A, 11000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

BV12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压12000 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BV 8, BV 12, BV 16
Axial lead diode
High voltage silicon
rectifier diodes
BV 8, BV 12, BV 16
Forward Current: 0,5 A
Reverse Voltage: 8000 to 16000 V
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Features
Characteristics
Symbol Conditions
Values
Units
Mechanical Data
1)
Dimensions in mm
2)
3)
4)
1
16-05-2006 MAM
© by SEMIKRON

BV12相似产品对比

BV12 BV16 BV8_06 BV8
描述 0.35 A, 11000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.35 A, 15000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.35 A, 11000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.35 A, 7000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

 
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