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71V256SA20PZ8

产品描述Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28
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文件大小133KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V256SA20PZ8概述

Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28

71V256SA20PZ8规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm
Base Number Matches1

71V256SA20PZ8相似产品对比

71V256SA20PZ8 71V256SA20PZ
描述 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 TSOP TSOP
包装说明 TSOP1, 0.300 INCH, TSOP1-28
针数 28 28
Reach Compliance Code unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
最长访问时间 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 e0
长度 11.8 mm 11.8 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 28 28
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.55 mm 0.55 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 8 mm 8 mm
Base Number Matches 1 1

 
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