SEMIX604GB176HD概述

Trench IGBT Modules

SEMIX604GB176HD规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数	11
制造商包装代码	CASE SEMIX 4
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	600 A
集电极-发射极最大电压	1700 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码	R-XUFM-X11
JESD-609代码	e2
元件数量	2
端子数量	11
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	1065 ns
标称接通时间 (ton)	425 ns

SEMiX 604GB176HD

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMiX

Trench IGBT Modules

SEMiX 604GB176HD

Module

Preliminary Data

Inverse Diode

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

Remarks

20-04-2007 SCH

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ