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IDT71V2546S100BGI8

产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
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文件大小317KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V2546S100BGI8概述

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

IDT71V2546S100BGI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT71V2546S100BGI8相似产品对比

IDT71V2546S100BGI8 IDT71V2546S100BGI
描述 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50
针数 119 119
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 5 ns 5 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e0
长度 22 mm 22 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 119 119
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.36 mm 2.36 mm
最大待机电流 0.045 A 0.045 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.25 mA 0.26 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20
宽度 14 mm 14 mm

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