ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数 | 119 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 5 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX36 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 2.5,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.36 mm |
最大待机电流 | 0.045 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
IDT71V2546S100BGI8 | IDT71V2546S100BGI | |
---|---|---|
描述 | ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 | ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数 | 119 | 119 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 5 ns | 5 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 100 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
内存宽度 | 36 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 119 | 119 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX36 | 128KX36 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 |
电源 | 2.5,3.3 V | 2.5,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.36 mm | 2.36 mm |
最大待机电流 | 0.045 A | 0.045 A |
最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.25 mA | 0.26 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 |
宽度 | 14 mm | 14 mm |
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