64MD-50-711,64MD-50-711 pdf中文资料,64MD-50-711引脚图,64MD-50-711电路-Datasheet-电子工程世界

64MD-50-711: 产品描述Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA74, BGA-74; 产品类别存储; 文件大小3MB，共66页; 制造商Rambus Inc

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64MD-50-711概述

Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA74, BGA-74

64MD-50-711规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rambus Inc
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	74
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B74
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	74
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

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描述	Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA74, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, CENTER BONDED, BGA-54	Rambus DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PBGA74, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, CENTER BONDED, BGA-54	Rambus DRAM, 4MX16, 40ns, CMOS, PBGA74, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA74, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX16, 53ns, CMOS, PBGA74, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX18, 40ns, CMOS, PBGA54, CENTER BONDED, BGA-54	Rambus DRAM, 4MX18, 53ns, CMOS, PBGA54, CENTER BONDED, BGA-54	Rambus DRAM, 4MX18, 45ns, CMOS, PBGA54, CENTER BONDED, BGA-54
厂商名称	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc	Rambus Inc
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
针数	74	54	74	54	74	74	74	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
JESD-30 代码	R-PBGA-B74	R-PBGA-B54	R-PBGA-B74	R-PBGA-B54	R-PBGA-B74	R-PBGA-B74	R-PBGA-B74	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
内存密度	67108864 bit	75497472 bit	67108864 bit	75497472 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	16	18	16	18	16	16	16	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	74	54	74	54	74	74	74	54	54	54
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	4MX16	4MX18	4MX16	4MX18	4MX16	4MX16	4MX16	4MX18	4MX18	4MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
最长访问时间	-	-	45 ns	-	40 ns	-	53 ns	40 ns	53 ns	45 ns

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