NPN 8 GHz wideband transistors
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOT-143 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | CECC |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 8000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| BFG67/XR | BFG67/X | BFG67 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NPN 8 GHz wideband transistors | NPN 8 GHz wideband transistors | NPN 8 GHz wideband transistors |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOT-143 | SOT-143 | SOT-143 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN |
| 针数 | 4 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | compli |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V | 10 V | 10 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 60 | 60 |
| 最高频带 | L BAND | L BAND | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 参考标准 | CECC | CECC | CECC |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 8000 MHz | 8000 MHz | 8000 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | - | NOT APPLICABLE | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 |
| 端子面层 | - | TIN | Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | 30 |
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