IDT70V3389S6BCGI,IDT70V3389S6BCGI pdf中文资料,IDT70V3389S6BCGI引脚图,IDT70V3389S6BCGI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V3389S6BCGI: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA256, BGA-256; 产品类别存储; 文件大小176KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V3389S6BCGI概述

Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA256, BGA-256

IDT70V3389S6BCGI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA256,16X16,40
针数	256
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	256
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm
Base Number Matches	1

IDT70V3389S6BCGI相似产品对比

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描述	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 5ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP	QFP	QFP	BGA
包装说明	LBGA, BGA256,16X16,40	TFBGA, BGA208,17X17,32	LFQFP,	TFBGA, BGA208,17X17,32	LFQFP, QFP128,.63X.87,20	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LBGA, BGA256,16X16,40
针数	256	208	128	208	128	128	128	128	256
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns	5 ns	5 ns	6 ns	6 ns	6 ns	5 ns	4.2 ns	5 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1	e1	e3	e1	e3	e3	e3	e3	e1
长度	17 mm	15 mm	20 mm	15 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	17 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	256	208	128	208	128	128	128	128	256
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-	-40 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	TFBGA	LFQFP	TFBGA	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.2 mm	1.6 mm	1.2 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	1 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	17 mm	15 mm	14 mm	15 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	17 mm
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	100 MHz	-	83 MHz	83 MHz	-	-	-	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	-	-	COMMON
端口数量	2	2	-	2	2	-	-	-	2
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	-	-	3-STATE
封装等效代码	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32	-	BGA208,17X17,32	QFP128,.63X.87,20	-	-	-	BGA256,16X16,40
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	-	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	-	-	-	2.5/3.3,3.3 V
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	-	0.03 A	0.03 A	-	-	-	0.03 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V	-	3.15 V	3.15 V	-	-	-	3.15 V
最大压摆率	0.36 mA	0.415 mA	-	0.36 mA	0.36 mA	-	-	-	0.415 mA
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-
其他特性	-	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	-

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