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70V3389S6BCGI8

产品描述Application Specific SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA256
产品类别存储   
文件大小163KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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70V3389S6BCGI8概述

Application Specific SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA256

70V3389S6BCGI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端口数量2
端子数量256
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.36 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features
IDT70V3389S
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
UB
L
UB
R
LB
R
R/W
R
B
W
0
L
B
W
1
L
B B
WW
1 0
R R
LB
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
64K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O
0 L
- I/O
1 7 L
CLK
L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
CLK
R
A
15L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
Counter/
Address
Reg.
A
15R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4832 tbl 01
.
JULY 2008
1
©2008 Integrated Device Technology, Inc.
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