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RB421D

产品描述0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共1页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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RB421D概述

0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

RB421D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
Reach Compliance Codeunknow

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SOT-23-3L
RB421D
-
Schottky barrier Diodes
0.
0. 95¡ À 025
FEATURES
Small surface mounting type
Low reverse current and low forward voltage
High reliability
Marking: D3C
1. 9
+
1. 02
2. 80¡ À 05
0.
1. 60¡ À0. 05
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T
A
=25℃
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
Limits
40
40
100
1
125
-40~+125
Unit
V
V
mA
A
Electrical Ratings @T
A
=25
Parameter
Symbol
V
F1
Forward voltage
V
F2
Reverse current
Capacitance between terminals
I
R
C
T
6
0.34
30
V
µA
Min.
Typ.
Max.
0.55
Unit
V
Conditions
I
F
=100mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
V
R
=10V, f=1MHZ
pF
0. 35
2. 92¡ À0. 05
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