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1N4151

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共2页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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1N4151概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N4151规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
Reach Compliance Codeunknow

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Transys
Electronics
L I M I T E D
SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE
1N4151
500mW
DO- 35
Glass Axial Package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
V
R
Reverses Voltage ( Continuous)
V
RRM
Repetitive Peak Reversse Voltage
P
tot
Total Power Dissipation @ T
A
=25ºC
Linear Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
V
F
I
F
=50mA,
Forward Voltage
I
R
V
R
= 50V
Reverse Current
V
R
=50V, T
j
=150ºC
Breakdown Voltage
Reverse Recovery Time
B
V
t
rr
I
R
=5.0µA
I
F
=10mA to I
R
=10mA
Recovery to 1.0mA
I
F
=10mA, V
R
=-6.0V
R
L
=100
Capacitance
C
V
R
=0, f=1.0MHz
VALUE
50
75
500
2.85
-65 to +200
200
UNIT
V
V
mW
mW/ºC
ºC
ºC
MIN
TYP
MAX
1.0
0.05
50
UNIT
V
µΑ
µΑ
V
ns
75
4
2
ns
4
pF

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