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RS1DW

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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RS1DW概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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RS1AW~RS1MW
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Ampere
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Fast Recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment
substance directive request
MECHANICAL DATA
Case: SMA-W molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750D,Method 1036.3
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e R e c t i f i e d C ur r e nt a t T
L
= 9 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
M a xi m um J unc t i o n c a p a c i t a nc e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l J u n c t i o n R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a t i n g
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J A
R
θ
J L
T
J
, T
S TG
R S 1 A W R S 1 B W R S 1 D W R S 1 G W R S 1 J W R S 1 K W R S 1 M W U N IT S
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
1 .3
5 .0
150
150
12
100
32
- 5 5 TO + 1 5 0
O
600
420
600
800
560
800
1000
800
1000
V
V
V
A
A
V
uA
250
500
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-JUN.19.2006
PAGE . 1
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