Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 70V3319S133BFGI8

文档预览

70V3319S133BFGI8: 产品描述Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小238KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

70V3319S133BFGI8概述

Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

70V3319S133BFGI8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA, BGA208,17X17,32
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HIGH-SPEED 3.3V

256/128K x 18

IDT70V3319/99S

SYNCHRONOUS

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed data access

– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

– Due to limited pin count PL/

option is not supported

on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined

outputs only on each port.

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)

– Fast 3.6ns clock to data out

– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 166MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

◆

– Self-timed write allows fast cycle time

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode

LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 133MHz.

Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-pin fine

pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball

Grid Array

Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

128-pin TQFP package

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

FT/PIPE

1/0

0a 1a

0b 1b

1b 0b

1a 0a

1/0

FT/PIPE

R/W

1/0

B B

1 0

R R

1/0

R/W

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

1b 0b 1a 0a

0a 1a 0b 1b

0/1

FT/PIPE

0/1

256K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O

- I/O

17L

Din_L

Din_R

I/O

- I/O

17R

CLK

17L(1)

REPEAT

ADS

CNTEN

CLK

17R(1)

Counter/

Address

Reg.

ADDR_L

ADDR_R

Counter/

Address

Reg.

REPEAT

ADS

CNTEN

5623 tbl 01

NOTE:

1. A

is a NC for IDT70V3399.

TDI

JTAG

TDO

TCK

TMS

TRST

OCTOBER 2014

DSC

5623/10

70V3319S133BFGI8相似产品对比

	70V3319S133BFGI8	70V3399S133PRFG8	70V3399S133PRFGI8	70V3319S133BCG8	70V3319S133BCGI8	70V3399S133BCGI8	70V3319S133BFG8	70V3319S166BCG8	70V3319S133PRFG8
描述	Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Application Specific SRAM, 128KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128	Application Specific SRAM, 128KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128	Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Application Specific SRAM, 128KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Application Specific SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Application Specific SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA, BGA208,17X17,32	QFP, QFP128,.63X.87	QFP, QFP128,.63X.87	BGA, BGA256,16X16,40	BGA, BGA256,16X16,40	BGA, BGA256,16X16,40	BGA, BGA208,17X17,32	BGA, BGA256,16X16,40	QFP, QFP128,.63X.87
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4 ns	4.2 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	S-PBGA-B256	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e1	e3	e3	e1	e1	e1	e1	e1	e3
内存密度	4718592 bit	2359296 bit	2359296 bit	4718592 bit	4718592 bit	2359296 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	208	128	128	256	256	256	208	256	128
字数	262144 words	131072 words	131072 words	262144 words	262144 words	131072 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	128000	128000	256000	256000	128000	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX18	128KX18	128KX18	256KX18	256KX18	128KX18	256KX18	256KX18	256KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	QFP	QFP	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP
封装等效代码	BGA208,17X17,32	QFP128,.63X.87	QFP128,.63X.87	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32	BGA256,16X16,40	QFP128,.63X.87
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK	FLATPACK	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.04 A	0.03 A	0.04 A	0.03 A	0.04 A	0.04 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.48 mA	0.4 mA	0.48 mA	0.4 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.4 mA	0.5 mA	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.635 mm	0.635 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.8 mm	1 mm	0.635 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	30
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1

推荐资源

SG52104构成的—10V、2A稳压电源

32.768Khz在电路中的作用: 在电子电路领域，32.768Khz（32768Hz）有着特殊的地位和重要的作用。 1、采用32.768Khz的原因 32.768Khz频率在电路设计中被广泛采用，主要是因为其特殊的数学特性。这个频率值经过简 ......; YXC扬兴晶振分立器件

拆解HT7183：16V, 4.5A异步DC-DC升压转换器芯片资料: 本帖最后由 wintec2022 于 2024-12-17 15:00 编辑 HT7183描述： HT7183是一款高功率异步升压转换器，集成120mΩ功率开关管，为便携式系统提供高效的小尺寸解决方案。具有2.6 ......; wintec2022 电源技术

基于 XD08M3232 接近感应单片机的背景抑制光电开关设计与应用: 摘要：本文详细介绍了一种基于 XD08M3232 接近感应单片机的背景抑制光电开关。阐述了其工作原理、硬件设计、软件编程以及在实际应用中的优势与特点，展示了该光电开关在工业自动化、智能检测等 ......; luqi334 玄铁RISC-V活动专区

《深度学习的数学——使用Python语言》第2章概率论学习: 概率是一个介于0-1之间的数，用于衡量事情发生的可能性，如果事件一定不会发生，那么概率为0。我们从最基础的概率法则开始下面对这一章部分例程进行实操进行测试一、模拟10 ......; 常见泽1 测评中心专版

《深度学习的数学——使用Python语言》①基础环境搭建: # 《深度学习的数学——使用Python语言》①基础环境搭建 (https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1302019-1-1.html) 感谢eeworld提供这次机会。这是我第一次入围类似的活动，收到书的时候还 ......; eew_gleddk 测评中心专版

【一句】来一句话证明你用过陀螺仪: 【一句】来一句话证明你用过陀螺仪【一句】是版主发起的论坛坛友畅聊、分享的盖楼贴，意在广交朋友，大家寓教于乐。【一句话，证明你用过陀螺仪】老规矩楼主先来 “没信 ......; 吾妻思萌传感器

STM32F4 编程手册学习1_编程模型

1. 处理器模式与特权等级处理器模式分为以下两种：线程模式：用来执行应用软件；处理器从reset出来时，进入线程模式； CONTROL寄存器控制软件的执行状态时特权的还是非特权的。处理模式：用来处理异常；完成异常处理后，进入线程模式；该模式下，软件运行在特权等级上。特权等级有以下两种：非特权：对于MSR、MRS指令受限的权限，不能使用CPS指令；不能使用系统定时器...[详细]
AI造车第一车企，造出全球首个AI座舱

如果说汽车的终极形态是硅基生命体，那么在智能驾驶领域，它已经逐渐具备了「老司机」的样貌；而在智能座舱领域，它同样需要像一个人，甚至像一个「老朋友」。这是 AI 类人化演进的必然结果。从 DeepSeek 到 Manus，大模型的突破不断释放出深度思考、逻辑推理和执行决策的能力。而这些能力，唯有在智能座舱这一超级应用场景中，才能得到充分落地与扩展。在吉利发布的 Flyme Aut...[详细]
台积电遭 28 名美国亚利桑那工厂员工起诉

8 月 25 日消息，台积电作为全球领先的芯片代工制造商，其在美国亚利桑那州建设芯片制造工厂的决定备受瞩目。台积电主要为无晶圆厂（fabless）的芯片设计公司生产芯片，这些公司包括苹果、英伟达、高通、联发科、博通和 AMD 等科技巨头。美国一直渴望在半导体领域实现自给自足，而台积电的这一举措被视为重要一步。特朗普政府为台积电在美国建厂铺平了道路，拜登总统则通过签署《芯片与科学法案》提供了数十...[详细]
让混动不再尴尬岚海智混堪称混动技术“终极答案”？

8月22日，岚图汽车在央视新闻《顶级实验室》的直播间，把一项叫作“岚海智混”的新技术推到公众面前。名字听上去像是又一个新名词，但仔细往下看，你会发现这并不是简单的技术叠加，而是一次彻底重构;它把800V高压平台、63kWh大电池、全温域5C超充组合到一起，用最硬核的方式回答了一个长期存在的问题：混动究竟是不是过渡方案？要知道，在新能源车的发展进程里，混动一直处在一个尴尬的位置,它既不...[详细]
不可错过的stm32单片机直流电机驱动与测速详解

　　stm32直流电机驱动与测速　　说实话就现在的市场应用中stm32已经占到了绝对住到的地位，51已经成为过去式，32的功能更加强大，虽然相应的难度有所增加，但是依然阻止不了大家学习32的脚步，不说大话了这些大家都懂要不然也不会学习stm32的人那么多!!! 　　进入我们今天的主题，今天给大家介绍的是stm32中一个很小但是比较实用的stm32直流电机驱动与测速，话不多说先给大家上一段直流电...[详细]
单片机开发过程中使用结构体简化程序

首先，作为刚入行不久的新人，我在单片机开发这块并没有太多的经验，所以可能在写一些相关的文档的时候存在一些错误，希望大家多多包含！也希望各位不吝赐教，指点迷津！好记性不如烂笔头，之所以选择开通博客是因为我想把自己在工作和学习过程中碰到的一些问题以及疑惑记录下来，同时积极地定位问题的源头以及寻求解决方案，或许在碰到相同的问题时就能很快地解决。同时在博客上也可以学习到很多工程师长期积累的经验，分享自...[详细]
SMT贴片机的秘密日记：性能状态检测的内幕

SMT贴片机是表面贴装技术（Surface Mount Technology）中的重要设备，它的性能状态对电子制造的质量和效率有着决定性的影响。因此，对SMT贴片机的主要指标性能进行定期检测非常重要。以下是一些主要的检测项目：定位精度：定位精度是SMT贴片机的核心性能指标，它直接影响到贴片的准确性。通常，我们通过重复测量贴片机在X、Y轴上的移动误差来检测其定位精度。贴片速度：贴片速度...[详细]
免拆卸、快速维修辊压机空心轴轴颈磨损，让维修变得简单高效

一、故障现象和原因分析 1.设备运转过程中，由于胀紧套部位承受较大的扭矩，长期运转使用中轴与轴套配合面发生相对运动，因而造成轴套与轴头之间的磨损，胀紧套无法锁紧，造成停机； 2.设备在正常检修过程中，企业人员忽视了对胀紧套上的预紧螺栓的紧固，长时间的设备运行，造成螺栓断裂，使轴与轴套产生相对运动，造成轴与轴套之间的磨损； 3.由于一些老设备上的减速机会经常拆卸外出加工修复，在拆卸设备的空心轴减...[详细]
一文读懂回流焊设备选购：如何在众多品牌中抉择

回流焊作为一种电子组装工艺，已经成为电子制造行业的重要环节。回流焊设备的选购对于提高生产效率、降低生产成本以及保证产品质量具有重要意义。那么，在面对众多回流焊设备品牌和型号时，如何选购一台好的回流焊设备呢？本文将从以下几个方面为您提供选购指南。一、设备性能加热方式：回流焊设备的加热方式主要有热风循环加热和红外辐射加热。热风循环加热具有加热均匀、温度控制精确的优点，是目前市场上主流的加热方...[详细]
麦格纳推出集成式舱内感知系统：将摄像头与雷达融合用于舱内主动安全

麦格纳推出的集成式舱内感知系统将视觉与毫米波雷达数据融合，用于检测乘员存在、识别儿童滞留、监测驾驶员疲劳及生命体征，支持无接触安全带检测等功能。图片来源：麦格纳该系统通过多模态验证提升检测鲁棒性，可直接响应法规要求（例如儿童滞留报警）并与车载HVAC、座椅和安全控制单元联动，实现出车前的自动巡检与离车提醒。该类集成方案特别适配家庭化MPV、带自动驾驶功能的大型商用车以及共享出行业务...[详细]
通信用二次模块电源的定义，分板供电两种方式

在通信电源领域里，把AC/DC整流电源称为一次电源或基础电源，而DC/DC变换器称为二次电源。现代通信设备(如数字程控交换设备和传输设备)的输入电压标称值大多数为48V，少数的传输和中继设备供电电压为24V。通信用二次模块电源是什么对于交换设备中的数字电路、接口电路、逻辑单元电路、驱动器及一些线性电路需要提供1.2~3.3V、士5V、±12V等低压直流二次电源。这就需要将通信设备输入的4...[详细]
工艺的选择很重要，辊压机轴承位磨损现场修复的完整流程

在辊压机轴承位磨损的故障处理中，常见的办法一般有补焊工艺、热喷涂工艺、电刷镀工艺以及报废更换等，考虑到方便快捷因素，上述办法都受到拆装及运输成本的制约，修复时间较长，在对停机时间有要求的场合下不占优势。下面介绍的是一种在线快速修复辊压机轴头磨损的方法，可以在短时间内快速解决问题，为企业节省停机停产时间。现场情况说明某车间合肥院辊压机轴承运行期间出现轴承温度过高，螺栓断裂，停机拆卸后发现轴承...[详细]
一文看懂车载以太网gPTP时间同步

01、引言随着车载网络从 CAN 总线向以太网迁移，传统毫秒级同步精度已无法满足多传感器融合、线控系统协同的需求。比如在多传感器时空对齐中，激光雷达的点云、摄像头的图像、毫米波雷达的回波信号，需在同一时间基准下融合。而当以 120km/h 车速计算，1ms 的时间偏差会导致 3.3cm 的空间误差，造成自动驾驶的安全风险。因此，gPTP 通过 ±50ns ...[详细]
人工智能功耗问题：挑战、权衡与优化路径

编译自semiengineering 业界越来越关注人工智能的功耗问题，但这个问题并没有简单的解决方案。这需要深入了解应用、半导体和系统层面的软件和硬件架构，以及所有这些的设计和实现方式。每个环节都会影响总功耗和提供的效用。这是最终必须做出的权衡。但首先，必须解决效用问题。电力是否被浪费了？“我们将电力用于有价值的用途，”Ansys（现为新思科技旗下公司）产品营销总监 Marc Swi...[详细]
教你快速看懂手机屏幕的真实门道

　　手机好不好，屏幕是第一眼看到的，手机屏幕的好坏直接关系到视觉和操作效果。但是了解手机屏幕需要大量的专业知识，没有知识背景的一般人根本看不懂，讲起来也很复杂。在这里，教授用最简单的话，把手机屏幕的基本知识和大伙一起分析分析。　　看手机屏幕参数，除了要看分辨率和屏幕尺寸之外，还要看手机屏幕的材质，这是影响屏幕色彩表现力和细腻程度更重要的原因。根据材质的不同，手机屏幕可以分为LCD(液晶显示...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多