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5962R9562601TXC

产品描述8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
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文件大小141KB,共18页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9562601TXC概述

8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

5962R9562601TXC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e4
内存密度65536 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class T
座面最大高度5.92 mm
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
C
D
E
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R044-96.
Changes in accordance with NOR 5962-R460-97.
Update boilerplate for class “T” changes. - glg
Correction of paragraph 1.5 Table I changes. - glg
Correction of test condition voltage value for
E
in Table I for
Operating supply current; was VDD changed to GND. Removed
neutron irradiation line from section 1.5. Update boilerplate. - ksr
DATE (YR-MO-DA)
96-01-24
97-09-22
98-12-02
99-06-24
04-02-12
APPROVED
M.A. Frye
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
E
15
E
16
E
17
REV
SHEET
PREPARED BY
Gary L. Gross
CHECKED BY
Jeff Bowling
APPROVED BY
Michael A. Frye
E
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E
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E
11
E
12
E
13
E
14
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DRAWING APPROVAL DATE
95-10-05
REVISION LEVEL
E
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, RADIATION HARDENED,
CMOS, 8K X 8-BIT PROM,
MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
1 OF
17
5962-E140-04
CAGE CODE
67268
5962-95626
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

5962R9562601TXC相似产品对比

5962R9562601TXC 5962F9562601QYC 5962R9562601TYC
描述 8KX8 OTPROM, CDIP28, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28 8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28
零件包装代码 DIP DFP DFP
包装说明 DIP, DIP28,.6 DFP, FL24,.5 DFP, FL24,.5
针数 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 65 ns 65 ns 65 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T28 R-CDFP-F28 R-CDFP-F28
JESD-609代码 e4 e4 e4
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP DFP
封装等效代码 DIP28,.6 FL24,.5 FL24,.5
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class T MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class T
座面最大高度 5.92 mm 2.92 mm 2.92 mm
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.015 mA 0.015 mA 0.015 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
总剂量 100k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
宽度 15.24 mm 12.445 mm 12.445 mm
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
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