电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT70V657S10BCG8

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
产品类别存储   
文件大小317KB,共24页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IDT70V657S10BCG8概述

Dual-Port SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256

IDT70V657S10BCG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量256
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V659/58/57S
128/64/32K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12/15ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
BBBB
EEEE
3 2 10
RRRR
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout0-8_R
Dout9-17_L
Dout9-17_R
Dout18-26_L Dout18-26_R
Dout27-35_L Dout27-35_R
OE
R
128/64/32K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L-
I/O
35L
Di n_L
Di n_R
I/O
0R -
I/O
35R
A
16 L(1)
A
0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A
16R(1)
A
0R
CE
0L
CE
1L
OE
L
R/W
L
BUSY
L(2,3)
SEM
L
INT
L(3)
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
OE
R
R/W
R
CE
0R
CE
1R
M/S
BUSY
R(2,3)
SEM
R
INT
R(3)
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
4869 drw 01
NOTES:
1. A
16
is a NC for IDT70V658. Also, Addresses A
16
and A
15
are NC's for IDT70V657.
2.
BUSY
is an input as a Slave (M/S=V
IL
) and an output when it is a Master (M/S=V
IH
).
3.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
MARCH 2004
DSC-4869/5
1
©2004 Integrated Device Technology, Inc.
DDR2 64M/16bit 能跑wince6.0吗?
ddr2 128M/32BIT 运行ce6正常,可另一个板子是DDR2 64M/16bit ,ce6跑不起来 ce6的硬件最低配置是多少?...
huibin 嵌入式系统
加密系统盘有没有好的方法
想做一个加密系统盘的软件,利用驱动或其他什么方法,那位大哥有好的建议...
fengyeshu 嵌入式系统
再来一发:能用手指接电话的智能表带,歪果仁真会玩~
259804 259805 简单一句话来介绍SGNL就是,可以直接用手指打电话。这款SGNL智能表带是由三星C-Lab分拆出的五家公司其中之一Innomdle Lab所研发的,这家科技初创公司的研发宗旨就是致力于 ......
bootloader 无线连接
【毕业设计】基于单片机的电子琴设计
基于单片机的电子琴设计...
wy229608 单片机
HC32L110 系列烧录的那些坑
华大HC32L110系列数据手册Rev2.5(新)版本中提到如下: 1. 实测老版本通过P31和P27脚无法进行UART和CCID烧录,但可用keil烧录,如果采购到老版本的芯片,建议务必预留P35和P36做为烧录口。2.SWD ......
白虎姐 国产芯片交流
学模拟+《运算放大器噪声优化手册》读书笔记 之四
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:22 编辑 零漂移运放是可以对失调误差,失调漂移误差和低频噪声误差进行周期性自校准的一种运放。 不同的零漂移运放的校准周期范围为10Hz-100Hz。其内 ......
machinnneee 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2592  1367  749  2882  2821  4  42  1  23  36 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved