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82S212/BWA

产品描述Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22
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文件大小132KB,共4页
制造商YAGEO(国巨)
官网地址http://www.yageo.com/
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82S212/BWA概述

Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22

82S212/BWA规格参数

参数名称属性值
厂商名称YAGEO(国巨)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T22
内存密度2304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量22
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

82S212/BWA相似产品对比

82S212/BWA 82S212/BWA-40
描述 Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22 Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22
厂商名称 YAGEO(国巨) YAGEO(国巨)
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T22 R-CDIP-T22
内存密度 2304 bit 2304 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 9 9
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 22 22
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 256X9 256X9
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 TTL TTL
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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