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STB60N55F3TRL

产品描述80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
产品类别晶体管   
文件大小624KB,共20页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STB60N55F3TRL概述

80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

STB60N55F3TRL规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)390 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.0085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

STB60N55F3TRL相似产品对比

STB60N55F3TRL STD60N55F3TRL
描述 80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 80A, 55V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 D2PAK TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 390 mJ 390 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 80 A 80 A
最大漏源导通电阻 0.0085 Ω 0.0085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A 320 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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