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5KP30-5RE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别二极管   
文件大小110KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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5KP30-5RE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

5KP30-5RE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PBCY-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压40.7 V
最小击穿电压33.3 V
最大钳位电压53.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PBCY-W2
JESD-609代码e4
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层SILVER
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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