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IDT78C16A350LB

产品描述EEPROM, 2KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32
产品类别存储   
文件大小259KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT78C16A350LB概述

EEPROM, 2KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32

IDT78C16A350LB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间350 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.0009 A
最大压摆率0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间6
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
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